TF lab系列產(chǎn)品是一款適合實驗室研發(fā)或成品檢測使用的薄膜面電阻（方塊電阻）及薄膜厚度測量的儀器。

技術(shù)特點

非接觸成像
高解析度成像（25 至1,000,000 點）
缺陷成像
封裝層的地圖

參數(shù)

面電阻（方塊電阻）（歐姆/平方）
金屬層厚度（nm、μm）
金屬基板厚度（nm、μm）
各向異性
缺陷
完整性評定

應(yīng)用

建筑玻璃（LowE）
觸摸屏和平板顯示器
OLED和LED應(yīng)用
智能玻璃的應(yīng)用
透明防靜電鋁箔
光伏
半導(dǎo)體
除冰和加熱應(yīng)用
電池和燃料電池
包裝材料

材料

金屬薄膜和柵格
導(dǎo)電氧化物
納米線膜
石墨烯、CNT（碳納米管）、石墨
打印薄膜
導(dǎo)電聚合物（PEDOT:PSS）
其他導(dǎo)電薄膜及材料

規(guī)格參數(shù)

測量技術(shù)	非接觸式渦流傳感器
基板	例如：箔片、玻璃、晶圓，等等
最大掃描面積	12 inch / 300 x 300 mm（根據(jù)要求可以更大）
邊緣效應(yīng)修正/排除	對于標(biāo)準(zhǔn)尺寸，排除2 mm的邊緣
最大樣品厚度/傳感器間隙	2 / 5 / 10 / 25 mm（由最厚的樣本確定）
面電阻（方塊電阻）的范圍	低　　　0.0001 - 10 Ohm / sq; 2 至 8 % 精度 標(biāo)準(zhǔn)　　1 - 1,000 Ohm / sq; 2 至 8 % 精度 高　　　10 - 10,000 Ohm / sq; 4 至 8 % 精度
金屬膜的厚度測量（例如：鋁、銅）：	2 nm - 2 mm (與薄膜電阻一致)
掃描間距	1 / 2 / 5 / 10 mm （根據(jù)要求的其它尺寸）
每單位時間內(nèi)測量點（二次形）	5分鐘內(nèi)10,000個測量點 30分鐘內(nèi)1,000,000 個測量點
掃描時間	4 inch / 100 x 100 mm，在0.5至5分鐘內(nèi)（1-10mm 間距） 8 inch / 200 x 200 mm，在1.5至15分鐘內(nèi)（1-10mm 間距）
可用特色	薄膜面阻成像 各向異性電阻傳感器